На пути к созданию энергонезависимой памяти нового поколения

В последние годы интерес к научным исследованиям со стороны государства значительно возрос. На развитие науки наконец-то стали выделяться денежные средства.

В рамках национального проекта «Образование» оснащается создаваемый на базе РГУ имени Канта научно-образовательный центр «Нанотехнологии». На выделенные средства ВУЗ приобрел современную измерительную технику. Сейчас это оборудование с успехом используется преподавателями и студентами. Количество направлений, по которым ведутся исследования, значительно увеличилось. Теперь стало возможным реализовать не только старые задумки (например, запуск вычислительного кластера), но также развивать новые идеи.

Андрей Зюбин, руководитель отдела по работе со студентами и молодыми учеными РГУ им. И. Канта, рассказал нам о том, какие исследования проводятся на данном этапе в центре «Нанотехнологии»:

" В прошлом году мы заключили договор о сотрудничестве с МИФИ. Конечная цель нашей совместной работы — создание нового поколения магниторезистивной памяти (MRAM) с использованием нанотехнологий. Важнейшие преимущества данной разработки - энергонезависимость, а также возможность стирать и перезаписывать индивидуальные биты неограниченное число раз. К числу лучших качеств MRAM, в том числе, относятся неограниченный срок службы и относительно высокие скорости. Из МФТИ нам поставляются ферромагнитные структуры, которые исследуются в нашей лаборатории. Сейчас мы заняты поиском вещества, которое удовлетворяло бы определенным требованиям. В работе используются резонатор и электронный микроскоп, позволяющий исследовать отельные атомы. Мы проверяем вещества на наличие анизотропии (различие свойств в зависимости от выбранного направления). Эта характеристика определяет способность атома к хранению информации. Помещая образец в резонатор под определенным углом, мы определяем, на какой величине поля наблюдается резонанс. Затем на основе полученных данных по формулам рассчитываем величину анизотропии и создаем банк данных. То что мы делаем – лишь часть большого научного проекта. Подобные исследования уже проводились в Америке. Над созданием MRAM работали такие крупные фирмы как IBM и Motorola. Однако практически все попытки создания MRAM не приводили к появлению надежного продукта, пригодного для серийного производства. Поэтому сейчас у нас есть все шансы сделать Россию первым массовым производителем инновационных запоминающих устройств". Подробнее о проводимых исследованиях читайте в статье "Спинтроника и магниторезистивная память"